【半导体】中微首台等离子体晶圆切割设备交付客户

2026年11月10日，有报道称中微半导体设备（上海）股份有限公司近日正式发布全新产品Primo Matrix双反应台等离子体晶圆切割设备，并宣布首台设备已顺利付运国内重要集成电路封装客户。部分报道使用了“全球首台”的表述，另有报道仅写“首台设备已顺利付运”，客户名称均未披露，因此本文按“首台已付运”陈述，不把“全球”写成已交叉证实的事实。

公司相关负责人介绍，先进封装成为延续摩尔定律的重要路径，晶圆切割直接影响芯片良率与生产效率；该新品针对高精度、低损伤、窄切割道需求。报道称，Primo Matrix采用在量产中已得到充分验证的Primo TSV等离子体深硅刻蚀技术，集成双反应台刻蚀腔室及晶圆传输模块，并以300毫米晶圆为主要加工平台，向下兼容带框架的200毫米晶圆。

报道称，该设备可适用于最小到5微米的不同切割道宽度工艺，并称可大幅减少晶圆面积损耗、提升有效芯片产出；支持25至700微米晶圆厚度，覆盖超薄与常规厚度，适用于减薄后切割及多种先进封装工艺。另有同日报道称，设备依托中微Primo平台打造，系统最多可搭载6个刻蚀反应台，并支持带凸点晶圆正面等离子体切割、激光开槽后等离子体切割、晶圆背面刻蚀及介质层等硬掩膜开口刻蚀。上述参数均为公司介绍或媒体转述，未见独立验证。

报道还介绍，中微刻蚀设备已全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺，并覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。有报道称，公司行业首创的双反应台ICP刻蚀技术已达到0.2纳米的单原子水平；截至2026年9月底，公司已开发出54种高端半导体设备，累计超过9300个反应台在国内外生产线实现量产，其中包括26种高能和低能等离子体刻蚀机、24种薄膜设备以及化学机械抛光和部分量检测设备。中微计划在未来五年通过“有机生长和外延扩展”拓宽产品矩阵，覆盖约60%以上的高端半导体设备市场和70%以上的先进封装设备市场。