【芯片】英飞凌称在菲拉赫厂制成300毫米碳化硅功率器件晶圆

据媒体消息，2026年11月9日，英飞凌科技在德国慕尼黑发布消息称，该公司已在奥地利菲拉赫工厂，把300毫米碳化硅晶圆加工成功能性功率器件。公司称，这是在完整规模的半导体制造工厂环境中率先实现的这一工艺进展，并称该进展是利用现有硅基生产设备完成的。公司介绍，相较于200毫米晶圆，300毫米晶圆直径更大，每片可产出的芯片数量约为前者的2.3倍，因而在工艺上更进一步，效率也显著更高。公司还表示，将从2026年11月10日起在慕尼黑电子展electronica上向公众展示首片已加工的300毫米碳化硅晶圆，展期至11月13日，展位在C3展厅502号。

公司首席执行官Jochen Hanebeck表示，这一技术节点进一步巩固了公司在电源系统领域的位置，并对团队把300毫米碳化硅从实验室推进到制造环境表示感谢。他同时提到，公司在硅、氮化镓以及现在的碳化硅300毫米晶圆方面持续推进工艺。英飞凌称，300毫米碳化硅工艺的可行性，将为面向汽车、可再生能源、工业及人工智能数据中心等客户的碳化硅供应奠定基础。公司同时表示，将与客户和合作伙伴密切协作，规划300毫米碳化硅技术及放量时间，并继续执行其200毫米碳化硅制造路线图。公司强调，目前这一节点展示的是未来在300毫米晶圆上实现碳化硅规模化工业生产的潜力。

公司介绍，碳化硅是高效功率变换的关键半导体材料，其材料特性有助于在高电压和高温条件下降低功耗、提高功率密度，应用场景包括牵引逆变器、车载充电机、电动汽车充电设施、大规模储能、工业驱动以及不间断电源等。公司称，人工智能数据中心对碳化硅的需求也在上升，固态变压器、断路器和电源单元等环节出现新的应用。英飞凌称，将以上述应用为对象，继续提供其CoolSiC产品组合。

与此同时，英飞凌称已在德国德累斯顿工厂验证其Cold Split技术用于300毫米碳化硅的可行性。公司介绍，与传统线锯相比，该技术从碳化硅晶棒上分离晶圆时材料损耗更少、加工时间明显缩短，从而可从同一晶棒获得更多晶圆，并称相应资本开支也更低。公司还提到，2026年10月27日曾宣布在菲拉赫投资约11亿欧元，建设用于300毫米晶圆氮化镓功率半导体的高产量制造工厂，并称其半导体生产覆盖硅、碳化硅和氮化镓三种相关材料。公司简介显示，截至2025年9月底全球约有5.7万名员工，2025财年（截至2025年9月30日）营收约147亿欧元。