砷化镓GaAs

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使用VGF生长方法生产的的高纯度GaAs单晶，经过切磨抛后，红外2~12μm波段的透过率可以达到≥55%的水平。产品厚度较厚时（≥3mm），透过率会随着厚度的增加逐渐降低，一般会在51%~55%左右。在实际运用中当红外材料的强度和硬度是产品的关键因素时，GaAs也可用于CO2激光应用，作为ZnSe光学透镜或镜面的替代品。